Изучение технологий производства на выбранных подразделениях предприятия и описание загрязняющих веществ появляющихся в результате этих технологий
подготовка подложки: применяется механическая и химическая полировка для получения плоской поверхности без механических дефектов (выполняется 1 раз, при поступлении подложки в техпроцесс);
формирование на поверхности подложки слоя необходимого материала с заданной структурой: эпитаксиальное наращивание, осаждение диэлектрических или металлических плёнок (операция выполняется не в каждом цикле)(этому процессу может предшествовать оксидирование, фотолитография и диффузия под захоронёный n+ слой, являющийся необходимым элементом при создании схемы на биполярных транзисторах с коллекторной изоляцией, с комбинированной изоляцией(изопланар-1,2; полипланар) и не необходимым, но желательным в других структурах биполярных транзисторов (для снижения сопротивления коллектора и повышения быстродействия);
создание на поверхности подложки защитного слоя: в случае кремниевых подложек для этого используется окисление поверхности, в случае других подложек может использовать эпитаксиальное наращивание слоя диоксида или нитрида кремния либо другого материала с низким коэффициентом диффузии легирующих примесей Толщина слоя подбирается так, чтобы за время, необходимое для создания легированной области необходимой конфигурации в подложке, легирующий элемент не достиг подложки сквозь защитный слой;
нанесение слоя фоторезиста, обладающего устойчивостью к используемым травителям;
совмещение изображений по знакам совмещения и экспонирование рисунка окон на слой фоторезиста;
стравливание исключительно засвеченных (либо незасвеченных -- зависит от фоторезиста) участков слоя фоторезиста;
стравливание защитного слоя с подложки на участках, не закрытых фоторезистом;
удаление остатков слоя фоторезиста;
возможная операция: внедрение легирующих примесей нередко проводят в двухстадийном процессе, разделяя фазы загонки примеси в приповерхностную область и разгонки загнанной примеси по требуемому объёму; загонка производится путём локальной (с поверхности или из газовой фазы) диффузии или ионной имплантации легирующих примесей через окна в защитном слое в поверхность подложки; режимы диффузии (имплантации) подбираются так, чтобы чтобы за время этой и всех последующих технологических операций размер легированной области достиг требуемых размеров по площади и глубине, а нарушенная радиацией при ионном легировании кристаллическая решётка восстановилась;
возможная операция: плазменное или химическое травление поверхности подложки для удаления излишков слоя ранее осаждённого материала.
плазменное или химическое травление поверхности подложки для удаления защитного слоя (выполняется не в каждом цикле).
Основные циклы, выполняемые при создании полупроводниковых приборов, следующие:
формирование областей р-типа (локальное внедрение примесей)
формирование областей n-типа (локальное внедрение примесей)
формирование проводящих дорожек и контактных площадок (удаление излишков слоя металла)
Порядок циклов определяется зависимостями коэффициентов диффузии примесей от температуры. Стараются сначала производить загонку и разгонку примесей менее подвижных, и для сокращения времени процесса использовать более высокие температуры. Затем при меньших температурах загоняют и разгоняют более подвижные примеси. Это связано с быстрым (экспоненциальным) падением коэффициента диффузии при понижении температуры. К примеру, в кремнии сначала при температуре до ~950С создают области р-типа легированные бором и только потом при температуре менее ~750С создают области n-типа, легированные фосфором. В случае других легирующих элементов и/или других матриц номиналы температур и порядок создания легированных областей может быть разным, но всегда при этом придерживаются правила "понижения градуса". Создание дорожек всегда выполняется в завершающих циклах.
Публикации по єкологии
Экосистема государственного планируемого заповедника Утриш
Государственный природный заповедник «Утриш» (далее по тексту - ГПЗ
«Утриш») планируется создать в северо-западной части Черноморского побережья
Западного Кавказа.
Утриш представляет собой естественный резерват дикой природы. На
российском черноморском побережье это уникальн ...
Характеристика водных объектов Челябинской области
и источники их загрязнения
По территории Челябинской области
протекает 3602 реки общей протяженностью 17,925 тыс. км, находится 467 прудов и
водохранилищ, 3170 озер общей площадью 2125 км2 (из них 1340
учтенных озер общей площадью водной поверхности свыше 1500 км2),
принадлежащих бассейнам Каспийского моря (реки ...