Изучение технологий производства на выбранных подразделениях предприятия и описание загрязняющих веществ появляющихся в результате этих технологий

Предприятие располагает мощным многопрофильным заготовительным производством. Оно представлено следующими основными направлениями:

-Литейное производство: чугунное, стальное. цветное

-Кузнечнопрессовое производство.

-Механическое производство: радиаторы, трубопроводы, штуцера, пружины, валы, втулки, оси, шестерни, болты, гайки, резинотехнические изделия, инструмент.

Принципы технологии

На вход технологии поступают пластины, называемыми подложками. Состав материала подложек, кристаллическая структура (вплоть до межатомных расстояний в подложках для современных процессоров) и кристаллографическая ориентация строго контролируются. В ходе технологического процесса в приповерхностном слое полупроводникового материала, являющегося подложкой или нанесённого на подложку, создают области с различным типом или величиной проводимости, определяемой в конечном счёте различной концентрацией донорных и акцепторных примесей, а также материалом слоя. Поверх слоя полупроводникового материала, с использованием в нужных местах прослоек диэлектрического материала, наносятся слои проводящего материала, образующего контактные площадки и необходимые соединения между областями. Области и слои проводника, полупроводника и диэлектрика в совокупности образуют структуру полупроводникового прибора или интегральной микросхемы.

Особенность планарной технологии состоит в том, чтобы после завершения каждой технологической операции восстанавливается плоская (планарная) форма поверхности пластины, что позволяет создавать достаточно сложную структуру, используя конечный набор технологических операций.

Планарная технология обеспечивает возможность одновременного изготовления в едином технологическом процессе огромного числа дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем на одной подложке, что позволяет существенно снизить их стоимость. Также в случае изготовления на одной пластине идентичных приборов параметры всех приборов оказываются близкими. Ограничителем является только площадь подложки, поэтому диаметр подложек по мере развития технологий производства подложек стремятся увеличивать.

Для контроля качества выполнения промежуточных операций на подложке, как правило, выделяют несколько малых областей (обычно в центре и на периферии), на которых в ходе штатного технологического процесса формируются тестовые проводящие дорожки и элементарные приборы (конденсаторы, диоды, транзисторы и т.п.). В этих же областях формируют контактные площадки относительно большой площади для тестирования годности пластин перед скрабированием (разделением на отдельные приборы). Для совмещения изображений при фотолитографии также в специально выделенной области формируются знаки совмещения, подобные тем, какие можно встретить на многоцветной печатной продукции.

Основные технологические операции (литография)

Основные технологические операции, используемые в планарной технологии, основаны на процессе литографии: используются электронная литография, ионная литография, могущие быть сканирующми и проекционными; фотолитографии могущая быть оптической (стандартная λ=310-450нм или в глубоком ультрафиолете λ=200-300нм) и рентгеновской(λ=0,1-10нм), которые, в свою очередь, могут быть контактными, бесконтактными, на микрозазоре и проекционными. Также может быть ограниченно применён метод радиационно-стимулированной диффузии.

Технологическая цепочка состоит из серии циклов (до нескольких десятков), включающих в себя следующие основные операции (в порядке следования):

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7

Публикации по єкологии

История развития экологии как науки
Экология имеет длительную предысторию и она, как наука, представляет собой естественный этап роста научных знаний о природе. Если даже дарвинизм в его современном понимании, как сейчас известно, зародился задолго до Дарвина, то начала экологических представлений восходят вооб ...

Экологические проблемы Богучанской ГЭС
Богучанская ГЭС строится уже более 20 лет. Год начала строительства - 1980, подготовительные работы начаты в 1974 году. Проект ГЭС в ходе проектирования и строительства неоднократно претерпевал изменения. По первоначальным планам мощность ГЭС должна была составить 4000 МВт. ...

Разделы